1941年，中華大(dà)地奏響極限艱難的(de)抗戰悲歌(gē)。

　　頭頂狂轟濫炸，地面炮火連天，高(gāo)溫火海、堤防驟潰、饑餒煎迫，幾多(duō)地區(qū)猶如人(rén)間煉獄，生離死别不過早晚之間。

　　但這(zhè)一切，還(hái)不足以擾動西南(nán)聯大(dà)“内樹學術自由，外築民主堡壘”的(de)精神内核。

　　校舍是荒山野嶺上搭起的(de)茅草(cǎo)屋，地面是泥土壓成的(de)，宿舍的(de)方口嵌上幾根木(mù)棍就是窗(chuāng)子，教室的(de)屋頂覆蓋著(zhe)白鐵皮，一到下(xià)雨(yǔ)天，“叮叮當當”的(de)聲響蓋過老師授課的(de)聲音(yīn)。

▲由梁思成林(lín)徽因夫婦設計的(de)西南(nán)聯大(dà)校舍

　　生活更是拮據到極緻，從老師到學生都一貧如洗，物(wù)理(lǐ)系教授吳大(dà)猷爲給病妻治病，每日化(huà)裝成乞丐，到菜市場(chǎng)撿剩骨頭給妻子熬湯。

　　這(zhè)樣的(de)背景下(xià)，吳大(dà)猷收了(le)黃(huáng)昆做(zuò)研究生，黃(huáng)昆剛從北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系畢業，經著名金屬内耗研究大(dà)師葛庭燧的(de)推薦，在西南(nán)聯大(dà)半工半讀。

　　彼時(shí)，這(zhè)個(gè)年僅22歲的(de)年輕人(rén)，已在北(běi)大(dà)期間靠自學啃下(xià)了(le)國内剛起步的(de)量子物(wù)理(lǐ)。而14年後，以黃(huáng)昆爲代表，一批從海外學成歸來(lái)的(de)頂尖半導體人(rén)才，駐紮在北(běi)大(dà)，轉動了(le)中國半導體事業的(de)羅盤。

　　這(zhè)是一場(chǎng)艱難卓絕的(de)苦旅，起步于一無所有，卷入摧毀信仰的(de)浩劫，在漫無邊際的(de)黑(hēi)暗裏，每一位先輩都猶如一縷微光(guāng)，微光(guāng)與微光(guāng)交彙，又孕育出新的(de)微光(guāng)。當新的(de)微光(guāng)投身于中國半導體事業，舉目四望，天已經快(kuài)亮了(le)。

　　談及中國半導體人(rén)才大(dà)本營，人(rén)們往往首先想到國内清華大(dà)學、國外加州伯克利，智東西曾對(duì)清華大(dà)學的(de)芯片人(rén)才江湖做(zuò)細緻的(de)梳理(lǐ)。（特稿：清華芯片往事）

　　而當我們追溯中國半導體事業的(de)起源，我們發現，北(běi)大(dà)亦在中國半導體事業的(de)長(cháng)征，尤其是半導體基礎理(lǐ)論的(de)起步和(hé)發展，以及學科建設與人(rén)才輸出中，扮演著(zhe)不容小觑的(de)角色。

　　“物(wù)格無止境，理(lǐ)運有常時(shí)。”北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)學院中的(de)石碑，陪伴著(zhe)一代代半導體師生們走向充滿期冀的(de)未來(lái)。

　　01

　　從北(běi)大(dà)到北(běi)大(dà)

　　1936年，黃(huáng)昆17歲，高(gāo)考語文成績一塌糊塗，與清華、北(běi)洋工學院失之交臂。

　　第二年，他(tā)通(tōng)過保送考試，進入燕京大(dà)學物(wù)理(lǐ)系。15年後，他(tā)執起教鞭，走上北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系的(de)講台，在數百位學子心中，埋下(xià)半導體物(wù)理(lǐ)研究的(de)種子。

▲黃(huáng)昆

　　浸染于燕京大(dà)學求真務實的(de)環境中，黃(huáng)昆養成了(le)獨立思考的(de)習(xí)慣。本科畢業後，他(tā)來(lái)到西南(nán)聯大(dà)物(wù)理(lǐ)系，師從中國物(wù)理(lǐ)學之父吳大(dà)猷。

　　在這(zhè)裏，他(tā)結識了(le)楊振甯、張守廉兩位摯友，他(tā)們被稱爲西南(nán)聯大(dà)“三劍客”，結成了(le)長(cháng)達半個(gè)世紀的(de)深厚友誼。

▲美(měi)國國家檔案館圖片：位于昆明(míng)西北(běi)郊外的(de)西南(nán)聯大(dà)校園

　　“我們無休止地辯論著(zhe)物(wù)理(lǐ)裏面的(de)種種題目。”黃(huáng)昆70歲壽辰之際，楊振甯在《現代物(wù)理(lǐ)和(hé)熱(rè)情的(de)友誼》一文中寫道。

　　一天，圍繞哥(gē)本哈根學派一個(gè)重大(dà)而微妙的(de)貢獻，“三劍客”從喝茶到晚回宿舍，甚至關燈上床後，一直争論得(de)停不下(xià)來(lái)。最後，三人(rén)幹脆一起爬下(xià)床，點亮蠟燭，翻起海森堡的(de)《量子理(lǐ)論的(de)物(wù)理(lǐ)原理(lǐ)》，來(lái)調解他(tā)們的(de)辯論。

　　“我記得(de)黃(huáng)昆是一位公平的(de)辯論者，他(tā)沒有坑陷他(tā)的(de)對(duì)手的(de)習(xí)慣。”楊振甯在回憶文章(zhāng)中寫道，“我還(hái)記得(de)他(tā)有一個(gè)趨向，那就是往往把他(tā)的(de)見解推向極端。很多(duō)年後，回想起那時(shí)的(de)情景，我發現他(tā)的(de)這(zhè)種趨向在他(tā)的(de)物(wù)理(lǐ)研究中似乎完全不存在。”

　　“人(rén)生不相見，動如參與商”。1944年，三人(rén)西南(nán)聯大(dà)研究生畢業，各奔前程。但他(tā)們的(de)友誼并沒有随時(shí)空的(de)隔離而流逝，隻是兩人(rén)見面時(shí)有，三人(rén)相聚不多(duō)。

▲西南(nán)聯大(dà)物(wù)理(lǐ)系三劍客

　　西南(nán)聯大(dà)帶給黃(huáng)昆的(de)不僅是珍貴的(de)友誼，還(hái)有對(duì)物(wù)理(lǐ)學理(lǐ)論之精湛更新的(de)理(lǐ)解，對(duì)學習(xí)現代物(wù)理(lǐ)奧秘，進入了(le)一個(gè)新的(de)思想境界。

　　畢業之時(shí)，語文再次成爲黃(huáng)昆求學路上的(de)絆腳石。留美(měi)考試因語文得(de)了(le)24分(fēn)而落選，留英考試作文隻寫了(le)三行，結果因爲考官眼界高(gāo)，給大(dà)家普遍打分(fēn)都低，讓黃(huáng)昆撿了(le)個(gè)漏，被“庚子賠款”留英公費生錄取。

　　英國6年，成了(le)黃(huáng)昆人(rén)生的(de)第一個(gè)學術貢獻高(gāo)峰時(shí)期。

　　在那裏，他(tā)先後與兩位諾貝爾獎得(de)主莫特（N.F.Mott）和(hé)波恩（M.Born）共事，期間還(hái)收獲了(le)一位同爲物(wù)理(lǐ)系學生的(de)“洋夫人(rén)”裏斯（A.Rhys，中文名“李愛(ài)扶”）。

▲上世紀40年代，20世紀40年代，黃(huáng)昆在英國利物(wù)浦大(dà)學做(zuò)博士後時(shí)與同事們合影(yǐng)

　　在英國的(de)6年，黃(huáng)昆完成了(le)多(duō)項開拓性的(de)學術貢獻：和(hé)晶格動力學奠基人(rén)波恩合著的(de)《晶格動力學》，被奉爲固體物(wù)理(lǐ)學的(de)“聖經”；提出由雜(zá)質或缺陷引起的(de)漫散射，被稱爲“黃(huáng)散射”；提出著名的(de)“黃(huáng)方程”和(hé)“聲子極化(huà)激元”概念；與妻子共同提出經典的(de)“黃(huáng)-裏斯理(lǐ)論”，成爲固體中雜(zá)質缺陷上的(de)束縛電子躍遷理(lǐ)論的(de)奠基石。

　　與此同時(shí)，回國的(de)願望越來(lái)越強烈。

　　黃(huáng)昆1947年4月(yuè)寫給楊振甯的(de)信：

　　一方面，“看國内如今糟亂的(de)情形，回去研究自然受影(yǐng)響，一介書(shū)生又顯然不足有挽于政局，吃(chī)苦不討(tǎo)好，似乎又何必”；

　　另一方面，“我們如果在國外拖延目的(de)隻在逃避，就似乎有違良心。我們衷心覺得(de)，中國有我們和(hé)沒有我們，makes a difference。”

　　他(tā)認爲楊振甯“successfully組織一個(gè)真正獨立的(de)物(wù)理(lǐ)中心在你的(de)重要性應該比得(de)一個(gè)Nobel Prize還(hái)高(gāo)。同時(shí)在這(zhè)步驟中，devotion to the cause的(de)心也(yě)一定要駕于achieve自己地位之上。”

　　1951年底，黃(huáng)昆作别英國，坐(zuò)船取道香港，回到北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系任職。

　　此時(shí)，據美(měi)國貝爾實驗室造出第一塊晶體管，已過去了(le)三年，中國百廢待興，半導體産業正亟待一個(gè)學術牽頭人(rén)的(de)出現。

　　02

　　執教北(běi)大(dà)，八大(dà)海歸拓荒人(rén)

新聞界人(rén)士曾問黃(huáng)昆：沒有把研究工作長(cháng)期搞下(xià)來(lái)，是不是一個(gè)很大(dà)的(de)損失？

　　黃(huáng)昆并不同意這(zhè)種看法：“因爲回國後全力以赴搞教學工作，是客觀形勢發展的(de)需要，是一個(gè)服從國家大(dà)局的(de)問題。這(zhè)也(yě)并非我事業上的(de)犧牲，因爲搞教學工作并沒有影(yǐng)響我發揮聰明(míng)才智，而是從另一方面增長(cháng)了(le)才幹，實現了(le)自身價值。”

　　1954年，黃(huáng)昆任北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系固體物(wù)理(lǐ)專門化(huà)教研室主任，在他(tā)的(de)牽頭下(xià)，第一個(gè)半導體學科“半導體物(wù)理(lǐ)學”、第一個(gè)半導體專業化(huà)陸續誕生于北(běi)大(dà)。

▲五校聯合半導體專門化(huà)1957年畢業生

　　從北(běi)大(dà)開始，以黃(huáng)昆、王守武、湯定元、洪朝生、謝希德、高(gāo)鼎三、林(lín)蘭英、黃(huáng)敞爲代表的(de)海歸半導體先輩們，分(fēn)别在三尺講台和(hé)研究領域，奉獻了(le)無窮的(de)學術财富。

　　僅是在1956-1958年期間，241名學生迎來(lái)了(le)畢業典禮，他(tā)們走出北(běi)大(dà)校門後，成爲全國首批半導體事業的(de)骨幹力量。

　　其時(shí)已是世界半導體界的(de)裏程碑時(shí)期，現代電子工業第一個(gè)集成電路，誕生于德州儀器工程師傑克·基爾比的(de)手裏，42年後，他(tā)因爲這(zhè)一偉大(dà)的(de)發明(míng)被授予諾貝爾物(wù)理(lǐ)學獎。

　　1、黃(huáng)昆

▲黃(huáng)昆

　　黃(huáng)昆的(de)學術履曆表是驚人(rén)的(de)，30歲揚名全球物(wù)理(lǐ)界，32歲完成《晶格動力學》書(shū)稿，36歲當選中國科學院學部委員(yuán)（後稱院士），61歲當選瑞典皇家科學院院士，66歲成爲第三世界科學院首批院士中的(de)三位中國人(rén)之一，83歲被國家授予2001年度國家最高(gāo)科技獎。

　　對(duì)學生們來(lái)說，記憶更爲深刻的(de)是黃(huáng)昆在全國物(wù)理(lǐ)界有口皆碑的(de)授課。從而立之年到年近花甲，黃(huáng)昆在北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系的(de)講壇耕耘了(le)二十六個(gè)春秋，一向謙虛的(de)他(tā)，唯獨對(duì)自己的(de)教學有過較爲滿意的(de)評價。

　　他(tā)不限于定義說明(míng)與公式推演，而是引導學生們對(duì)物(wù)理(lǐ)問題有深入的(de)理(lǐ)解。無論是講課還(hái)是做(zuò)報告，黃(huáng)昆都堅守兩個(gè)原則：一，假定聽(tīng)講人(rén)對(duì)所講問題一無所知，且又反應遲鈍；二，盡管講過多(duō)次，每次都須重新備課。

　　中科院院士、清華大(dà)學教授朱邦芬曾與黃(huáng)昆共事，在他(tā)的(de)回憶中，黃(huáng)昆精益求精到了(le)極緻。他(tā)備課備到非常仔細，包括黑(hēi)闆怎麽寫，這(zhè)個(gè)字寫在哪兒(ér)，字要多(duō)大(dà)，擦的(de)時(shí)候，哪些要擦掉，哪些不要擦掉。朱邦芬曾經看過他(tā)的(de)，等于用(yòng)一個(gè)紙寫成很多(duō)版本，就是黑(hēi)闆上第一批怎麽寫，第二批哪些擦掉、哪些保留。

　　盡管1955年就當選中科院學部委員(yuán)，按規定可(kě)定級爲“一級教授”，但黃(huáng)昆主動要求定爲“二級教授”，認爲自己與饒毓泰、葉企孫、周培源、王竹溪等老師拿同樣的(de)工資，于心不安。

▲黃(huáng)昆在中國科學院半導體研究所給研究生講課

　　時(shí)代所限，内部政治幹擾、外部技術封鎖，多(duō)重因素作用(yòng)下(xià)，作爲基礎科學研究的(de)半導體物(wù)理(lǐ)首當其沖，黃(huáng)昆傾注大(dà)量心血的(de)教學工作被迫停止，中國與世界的(de)半導體研究差距越來(lái)越大(dà)。

　　直至1977年，改革開放總設計師親自點名60歲的(de)黃(huáng)昆，讓其擔任中國科學院半導體研究所所長(cháng)。以黃(huáng)昆爲學術帶頭人(rén)，半導體研究所成立了(le)半導體超晶格國家重點實驗室。

　　上世紀80年代，黃(huáng)昆進入學術貢獻的(de)第二個(gè)高(gāo)峰時(shí)期。退居二線的(de)黃(huáng)昆将更多(duō)精力投入科研，集中研究半導體超晶格物(wù)理(lǐ)問題，1983年，他(tā)與朱邦芬提出的(de)計算(suàn)超晶格光(guāng)學聲子模式的(de)模型，及類體模解析表達式，被國際上稱爲“黃(huáng)-朱模式”，已作爲該領域必讀文獻列入許多(duō)國外專著和(hé)研究生教材。

　　“他(tā)好比現代的(de)鳳凰涅磐，從灰燼中飛(fēi)起又成爲世界領頭的(de)固體物(wù)理(lǐ)學家”。

　　這(zhè)是國際著名固體物(wù)理(lǐ)學家、德國馬克斯普朗克協會固體物(wù)理(lǐ)研究所前所長(cháng)卡多(duō)納（M.Cardona）描述黃(huáng)昆的(de)話(huà)。

▲黃(huáng)昆獲1995年度陳嘉庚數理(lǐ)科學獎

　　從1980年代中期開始，黃(huáng)昆就時(shí)常感到頭暈，後來(lái)發現有腦(nǎo)萎縮，但他(tā)的(de)原創性研究一直持續到1996年。1999年，黃(huáng)昆确診患帕金森症。2005年7月(yuè)6日，黃(huáng)老在北(běi)京駕鶴西去，享年86歲。

　　5年後，國際小行星中心發布公報，将第48636号小行星永久命名爲“黃(huáng)昆星”。

　　2、中國半導體學科四大(dà)開拓者

　　我國第一個(gè)半導體課程開設于北(běi)大(dà)，黃(huáng)昆、王守武、湯定元、洪朝生四人(rén)參與授課。

　　王守武是中國半導體科學技術的(de)開拓人(rén)和(hé)奠基人(rén)之一，從中國第一台半導體激光(guāng)器的(de)研制，到提高(gāo)大(dà)規模集成電路成品率，再到完成集成電路大(dà)生産實驗，王守武從半導體材料、設備到生産都爲我國半導體事業的(de)發展做(zuò)出了(le)寶貴的(de)貢獻。

　　他(tā)先後任中科院半導體研究所業務副所長(cháng)、中科院109廠廠長(cháng)，1986倡議(yì)組建中科院微電子中心，王守武任微電子中心終身名譽主任，1980年當選爲中科院學部委員(yuán)（院士）。

▲王守武

　　洪朝生是中國低溫物(wù)理(lǐ)開拓者，獲清華電機工程系學士、麻省理(lǐ)工學院博士，先後任中科院應用(yòng)物(wù)理(lǐ)所研究員(yuán)，清華、北(běi)大(dà)、中科大(dà)教授等職務，1980年當選中科院學部委員(yuán)（院士）。

　　湯定元是我國紅外學科的(de)奠基者，将半導體紅外器件成功地應用(yòng)于中國探測、空間遙感等方面。他(tā)曾先後在中科院應用(yòng)物(wù)理(lǐ)所、中科院半導體研究所、中科院上海技術物(wù)理(lǐ)研究所工作，并曾任中科大(dà)教授和(hé)半導體教研室主任，1991年當選爲中科院學部委員(yuán)（院士）。

▲湯定元

　　黃(huáng)昆和(hé)王守武都是1919年生人(rén)，湯定元和(hé)洪朝生比他(tā)們小一歲。黃(huáng)昆和(hé)洪朝生是北(běi)京人(rén)，王守武和(hé)湯定元是江蘇人(rén)。

　　其中，王守武出生于蘇州名門望族——東山莫釐王氏，王家是中國近代少見的(de)科技世界，王守武的(de)父輩幾乎都是中國近代科學初期的(de)開創性人(rén)物(wù)，他(tā)與弟(dì)弟(dì)王守覺是著名的(de)中科院兄弟(dì)院士。

　　除了(le)黃(huáng)昆外，其餘三位先生都是前往美(měi)國留學。

　　1944年，王守武從同濟畢業，考取自費留學，被麻省理(lǐ)工學院錄取，但因結核病錯過赴美(měi)時(shí)間。次年，他(tā)赴美(měi)國普渡大(dà)學攻讀工程力學，1946年獲碩士學位後轉向物(wù)理(lǐ)學，用(yòng)量子力學研究材料性質，1949年2月(yuè)獲得(de)博士學位。

　　1942年，湯定元從國立中央大(dà)學畢業，留校任教至1948年，赴美(měi)國明(míng)尼蘇達大(dà)學物(wù)理(lǐ)系學習(xí)，同年轉入芝加哥(gē)大(dà)學物(wù)理(lǐ)系。1950年，湯定元獲得(de)芝加哥(gē)大(dà)學物(wù)理(lǐ)系碩士學位。

　　1940年，洪朝生從清華畢業，在西南(nán)聯大(dà)電機工程系任電信課助教。5年後，他(tā)前往美(měi)國麻省理(lǐ)工學院攻讀博士學位，1948年畢業後，後在美(měi)國普渡大(dà)學、荷蘭萊頓大(dà)學卡末林(lín)·昂納斯實驗室工作。

　　四人(rén)的(de)交集早在海外留學期間就開始，洪朝生在1950發現并提出半導體雜(zá)質能級導電理(lǐ)論時(shí)，固體物(wù)理(lǐ)領域還(hái)未受重視，他(tā)曾前往英國會見英國利物(wù)浦大(dà)學國際固體物(wù)理(lǐ)領軍人(rén)物(wù)莫特，也(yě)就是黃(huáng)昆先生的(de)恩師。

▲洪朝生

　　王守武是四人(rén)中，最早踏上中國半導體研究征程的(de)人(rén)。

　　新中國成立後，1950年秋，王守武通(tōng)過印度大(dà)使館辦理(lǐ)難民證，乘船經香港回國，在中科院應用(yòng)物(wù)理(lǐ)研究所工作，以半導體爲研究方向。

　　一年後，湯定元、黃(huáng)昆回國，又過了(le)一年，洪朝生回國。除黃(huáng)昆外，其餘三人(rén)回國後均在中科院應用(yòng)物(wù)理(lǐ)所（物(wù)理(lǐ)所）工作，在北(běi)大(dà)任教之于，中科院物(wù)理(lǐ)所的(de)研究工作仍是他(tā)們的(de)主心骨。

　　基于共同的(de)理(lǐ)想和(hé)追求，四人(rén)交往日漸密。在黃(huáng)昆的(de)帶頭下(xià)，1954年，四人(rén)對(duì)如何發展我國半導體科技工作展開專題研討(tǎo)，并開始合作爲北(běi)大(dà)學生講授“半導體物(wù)理(lǐ)學”課程。

　　四人(rén)在北(běi)大(dà)的(de)合作授課，成爲了(le)各自開創半導體學科新篇章(zhāng)的(de)起點。

　　此後，黃(huáng)昆創辦了(le)中國第一個(gè)半導體專業化(huà)，湯定元開創了(le)中國第一個(gè)窄禁帶半導體分(fēn)支學科，洪朝生參與創辦中國科技大(dà)學低溫物(wù)理(lǐ)專業，王守武創建了(le)我國第一個(gè)半導體研究室、半導體器件工廠、半導體研究所和(hé)全國半導體測試中心。

▲1979年，王守武與研究人(rén)員(yuán)在超淨線工作

　　而四人(rén)爲北(běi)大(dà)學生就開設“半導體物(wù)理(lǐ)學”課，還(hái)隻是一顆激起漣漪的(de)一顆礫石，真正掀起巨浪的(de)大(dà)石塊出現在兩年之後。

　　3、北(běi)大(dà)半導體專業化(huà)起航

　　1956年，我國提出“向科學進軍”，黃(huáng)昆與王守武參與制定我國“十二年遠(yuǎn)景規劃”，同任半導體科學技術發展規劃制定小組副組長(cháng)，半導體技術研究被列入國家四項“緊急措施”之一。

　　這(zhè)一年暑假，北(běi)大(dà)、複旦、南(nán)大(dà)、廈大(dà)、東北(běi)人(rén)民大(dà)學（吉大(dà)前身）五校聯合，在北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系開辦了(le)我國第一個(gè)半導體專門化(huà)，黃(huáng)昆任主任，謝希德任副主任。

▲黃(huáng)昆與謝希德

　　謝希德被稱爲中國半導體之母，是我國半導體物(wù)理(lǐ)學科和(hé)表面物(wù)理(lǐ)學科的(de)開創者，亦是新中國成立後第一位大(dà)學女(nǚ)校長(cháng)。

　　她1921年出生于福建泉州，1946年從廈大(dà)數理(lǐ)系畢業，第二年赴美(měi)深造。1949年，謝希德從美(měi)國史密斯女(nǚ)子文理(lǐ)學院碩士畢業，到麻省理(lǐ)工學院（MIT）繼續攻讀博士學位，學費全免。經過幾多(duō)輾轉，她與丈夫于1952年回國，執教于上海複旦大(dà)學。

▲謝希德

　　爲了(le)配合祖國建設工作，1956年，謝希德放下(xià)出生才5個(gè)月(yuè)的(de)孩子，前往北(běi)大(dà)，與黃(huáng)昆共同主持中國第一個(gè)半導體專門組工作。1958年，她與黃(huáng)昆合著的(de)中國第一本 ——《半導體物(wù)理(lǐ)學》出版。

　　當時(shí)參與半導體專業化(huà)建設的(de)著名老師，還(hái)有來(lái)自吉大(dà)的(de)物(wù)理(lǐ)系教授高(gāo)鼎三。

　　他(tā)是我國著名的(de)半導體物(wù)理(lǐ)與器件學家、微電子與光(guāng)電子專家、教育家，亦是吉林(lín)大(dà)學半導體系的(de)創建者。說起來(lái)，他(tā)還(hái)是黃(huáng)昆在西南(nán)聯大(dà)物(wù)理(lǐ)系的(de)同門師兄。

▲高(gāo)鼎三

　　高(gāo)鼎三1914年生于上海。不同于黃(huáng)昆和(hé)謝希德，高(gāo)鼎三因爲家境貧寒，年及20歲還(hái)沒學過數英理(lǐ)化(huà)，受美(měi)國學成歸來(lái)的(de)姨母鼓勵與自主，他(tā)自學半年後考入上海大(dà)同大(dà)學附中，1937年考入上海交通(tōng)大(dà)學，後因上海“八一三”戰事爆發，轉至武漢大(dà)學借讀。

　　一年後，日寇進攻武漢，高(gāo)鼎三幹追随周恩來(lái)先生鎮定撤出，倍受周先生的(de)精神激勵，還(hái)一度投筆從戎，考入武漢的(de)黃(huáng)埔軍校14期，隻是因爲近視打不中靶而退學，輾轉到昆明(míng)進了(le)西南(nán)聯大(dà)。畢業後，他(tā)考取了(le)當屆唯一的(de)赴美(měi)公費留美(měi)名額，下(xià)一屆這(zhè)個(gè)名額被黃(huáng)昆的(de)摯友楊振甯拿到。

▲西南(nán)聯大(dà)物(wù)理(lǐ)系1941屆全班合影(yǐng)，左一爲高(gāo)鼎三（圖源：高(gāo)氏研究會）

　　還(hái)有一位曾與北(běi)大(dà)半導體有過交集的(de)女(nǚ)先生，林(lín)蘭英，她被譽爲“太空材料之母”，是我國極富盛名的(de)半導體材料科學家。

▲林(lín)蘭英

　　她1918年生在福建莆田，1936年考入福建協和(hé)大(dà)學，畢業後留校任教。1946年，她收到美(měi)國迪金森學院的(de)錄取通(tōng)知書(shū)，2年後啓程赴美(měi)留學，隻用(yòng)一年就拿到了(le)數學學士學位，還(hái)獲得(de)美(měi)國大(dà)學榮譽學會迪金森分(fēn)會的(de)金鑰匙獎章(zhāng)。

　　1948年，固體物(wù)理(lǐ)學在美(měi)國興起，次年第一塊半導體鍺單晶在美(měi)國貝爾實驗室誕生。林(lín)蘭英敏銳地意識到這(zhè)一領域的(de)重要價值，來(lái)到美(měi)國賓西法尼亞大(dà)學，從事固體物(wù)理(lǐ)研究。她再次用(yòng)一年時(shí)間，拿到固體物(wù)理(lǐ)學碩士學位。

　　1955年，林(lín)蘭英獲得(de)固體物(wù)理(lǐ)學博士學位，成爲賓西法尼亞大(dà)學建校以來(lái)第一位女(nǚ)博士。

▲林(lín)蘭英博士畢業照(zhào)

　　謝希德、高(gāo)鼎三、林(lín)蘭英的(de)回國之路都受到了(le)美(měi)國的(de)阻礙。

　　高(gāo)鼎三在美(měi)國立法禁止中國理(lǐ)工科留學生回國，并對(duì)表态不回中國大(dà)陸的(de)留學生給予經費資助時(shí)，他(tā)始終明(míng)确說要回國，因此被撤銷資助和(hé)助教資格，随後他(tā)毅然退學，到洛杉矶國際整流器公司擔任研究員(yuán)謀生。

　　爲了(le)早日參加祖國建設，高(gāo)鼎三與其他(tā)留學生聯名給美(měi)國總統寫信要求放行，同時(shí)托妻子向周總理(lǐ)寫信求助，終于在1955年5月(yuè)初乘上“威爾遜總統号”輪船回到了(le)闊别近8年的(de)祖國。

▲1948年，高(gāo)鼎三在伯克利寓所，桌上是妻子的(de)照(zhào)片（圖源：高(gāo)氏研究會）

　　林(lín)蘭英的(de)回國之路更爲艱難。她此前曾幫索文尼亞公司成功造出第一根矽單晶，這(zhè)樣的(de)寶貴人(rén)才，美(měi)國是萬萬不願意放人(rén)的(de)。

　　林(lín)蘭英在1956年以“母親重病”爲由，向印度駐美(měi)國大(dà)使館申請回國。在登船的(de)最後時(shí)刻，聯邦調查局将她的(de)圖書(shū)資料、随身藥品都翻個(gè)底朝天，最終一無所獲，隻扣押了(le)一張6800美(měi)元的(de)旅行支票(piào)，直到23年後，這(zhè)張支票(piào)才由中國銀行出面索回。

　　聯邦調查局沒有發現，就在他(tā)們搜查過的(de)藥盒裏，藏著(zhe)林(lín)蘭英給新中國的(de)獻禮——500克鍺單晶和(hé)100克矽單晶。

　　五校在北(běi)大(dà)聯合舉辦半導體專業，林(lín)蘭英被特邀做(zuò)“半導體材料”的(de)專題報告，她的(de)講課深入淺出，生動的(de)内容時(shí)隔多(duō)年仍令學子們記憶猶新。謝希德善于組織課程内容，講課結合學生實際，由淺入深，信息量大(dà)，條理(lǐ)清晰，語言流暢。高(gāo)鼎三十分(fēn)重視實踐，堅持“理(lǐ)工結合、理(lǐ)化(huà)結合”的(de)原則。

　　在參與北(běi)大(dà)半導體專業化(huà)建設的(de)過程中，謝希德與高(gāo)鼎三都積累了(le)許多(duō)專業教學與學科建設的(de)經驗。

▲謝希德

　　謝希德于1958年返回複旦，從一名普通(tōng)的(de)物(wù)理(lǐ)系教師一路晉升，曆任複旦大(dà)學物(wù)理(lǐ)系固體物(wù)理(lǐ)考古室主任、上海技術物(wù)理(lǐ)研究所的(de)副所長(cháng)等職位。她參與編寫多(duō)部半導體講義和(hé)教材，1977年大(dà)膽提出填補中國表面物(wù)理(lǐ)空白、發展表面科學的(de)建議(yì)，1978年當選中國物(wù)理(lǐ)學會副理(lǐ)事長(cháng)，1980年當選爲中科院數理(lǐ)學部委員(yuán)，兩度當選主席團成員(yuán)（1981年和(hé)1992年）。

　　62歲那年，謝希德成爲新中國第一位女(nǚ)大(dà)學校長(cháng)，在她擔任校長(cháng)的(de)5年間，複旦的(de)氣氛活躍和(hé)嚴謹教學一樣出名，複旦打破了(le)綜合大(dà)學隻有文理(lǐ)科的(de)格局，變爲一所擁有人(rén)文科學、社會科學、自然科學、技術科學和(hé)管理(lǐ)科學的(de)綜合性大(dà)學。

　　美(měi)、英、日、加、香港地區(qū)的(de)13所大(dà)學分(fēn)别授予她名譽科學博士、名譽工學博士和(hé)人(rén)文科學博士1987年6月(yuè)接受美(měi)國紐約州立大(dà)學Alabany分(fēn)校授予名譽博士時(shí)，《今日美(měi)國》報社記者采訪她，稱她爲“中國的(de)哈佛大(dà)學校長(cháng)”。

　　高(gāo)鼎三返回東北(běi)人(rén)民大(dà)學後，在1959年主持建立了(le)當時(shí)國内唯一的(de)半導體系，連任系主任25年。1961年，高(gāo)鼎三主持編寫的(de)《晶體管原理(lǐ)建議(yì)》，成爲國内這(zhè)一領域的(de)開山之作。

　　“863會議(yì)”期間，在信息組專家幾乎一邊倒的(de)傾向隻發展微電子時(shí)，高(gāo)鼎三不懼孤立，極力主張光(guāng)電子技術的(de)重要性，獲得(de)最高(gāo)領導對(duì)光(guāng)電子項目的(de)重視，會後組建了(le)中科院、清華、吉大(dà)聯合光(guāng)電子國家重點實驗室。

　　其光(guāng)電子技術在不久後爆發的(de)海灣戰争中，發揮了(le)重要的(de)實戰價值。

▲林(lín)蘭英

　　林(lín)蘭英則以在中科院的(de)研究工作爲重，1957年，林(lín)蘭英從洪朝生手中接任半導體材料組負責人(rén)，1960年進入中科院半導體研究所做(zuò)研究工作。在她的(de)直接參與下(xià)，我國第一根矽單晶、第一台開門式矽單晶爐、第一個(gè)砷化(huà)镓單晶等半導體材料相繼問世，爲我國太空半導體材料做(zuò)出不可(kě)估量的(de)貢獻。

　　90年代，林(lín)蘭英積極推動北(běi)方微電子研究開發基地的(de)建設，将清華大(dà)學微電子學研究所、北(běi)京大(dà)學微電子學研究所、中科院微電子學研究中心和(hé)半導體研究所材料部門聯合起來(lái)。年已八旬時(shí)，她仍在半導體材料領域主持各種重大(dà)的(de)基礎研究課題。

　　在她人(rén)生的(de)最後三年，她與王陽元院士、李志堅院士和(hé)吳德馨院士等一起發起，建立了(le)由北(běi)京大(dà)學牽頭的(de)“973”基礎研究課題，從事亞50nm的(de)新器件和(hé)工藝的(de)研究，爲下(xià)一代集成電路生産技術做(zuò)準備。

　　黃(huáng)敞比前幾位小了(le)将近10歲，他(tā)在1958年才從美(měi)國回國，沒能趕上五校聯合聚集北(běi)大(dà)的(de)這(zhè)一裏程碑時(shí)刻。

▲黃(huáng)敞（圖源：西安微電子技術研究所）

　　在謝希德、高(gāo)鼎三等先生回到原來(lái)的(de)學校後，1959年7月(yuè)，黃(huáng)敞先生被分(fēn)配到北(běi)京大(dà)學物(wù)理(lǐ)系，講授半導體器件課，并兼任中國科學院計算(suàn)機技術研究所11室主任、副研究員(yuán)，同時(shí)開始培養研究生。

　　期間，黃(huáng)敞先生提出了(le) “載流子總量分(fēn)析方法”，可(kě)系統分(fēn)析器件内部載流子的(de)運動規律，爲晶體管模型、集成電路的(de)研究提供了(le)一種科學的(de)分(fēn)析方法。這(zhè)一開創性成果對(duì)半導體器件理(lǐ)論和(hé)超大(dà)規模集成電路理(lǐ)論的(de)發展起到了(le)開拓性的(de)引領作用(yòng)。

　　由黃(huáng)敞主編的(de)《大(dà)規模集成電路與微計算(suàn)機》，系統闡述了(le)關于集成電路、微計算(suàn)機方面的(de)理(lǐ)論研究成果，總結了(le)多(duō)年來(lái)研制成果和(hé)經驗，對(duì)業内外的(de)科技人(rén)員(yuán)都具有指導意義和(hé)參考價值。

　　後來(lái)黃(huáng)敞在1965年被調至中科院156工程處（771所前身），開始從事航天微電子與微計算(suàn)機事業。他(tā)在771所、西電大(dà)和(hé)北(běi)師大(dà)都帶過研究生，并主持研制成功了(le)多(duō)種運載火箭專用(yòng)集成電路及計算(suàn)機，爲中國航天事業的(de)發展作出了(le)重大(dà)貢獻。

　　展訊通(tōng)信創始人(rén)武平曾在一片文章(zhāng)中寫道，國内獲得(de)過國家科學技術進步一等獎，就已有相當的(de)資格評上院士，黃(huáng)敞不僅獲得(de)國外多(duō)個(gè)院士頭銜，還(hái)是1979年第一位在國際頂尖專業雜(zá)志IEDM上發表論文的(de)國内專業人(rén)士，卻一直未被評爲院士，令很多(duō)弟(dì)子感到不平。對(duì)此，黃(huáng)敞則非常淡然，多(duō)次強調回國就是“爲國家做(zuò)事”。

　　03

　　繼往開來(lái)，從北(běi)大(dà)走出的(de)新學術帶頭人(rén)

　　在以上述這(zhè)些先生爲代表的(de)教師們精心培養下(xià)，北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系陸續走出了(le)一批批優秀的(de)半導體人(rén)才，其中一些學子繼承老師們的(de)事業，繼續爲中國半導體學術研究和(hé)人(rén)才培養開辟天地。

　　北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系曾有“五大(dà)金剛”——莫黨、秦國剛、甘子钊、夏建白、韓汝琦，他(tā)們都曾師從黃(huáng)昆先生。

　　五人(rén)在畢業後，均曾留北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系執教。其中，甘子钊、夏建白、秦國剛先後當選爲中科院院士；莫黨曆任中山大(dà)學物(wù)理(lǐ)系系主任、中山大(dà)學微電子研究所所長(cháng)和(hé)廣東省物(wù)理(lǐ)學會理(lǐ)事長(cháng)等職位。

▲秦國剛

　　秦國剛1956年畢業于北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系，1961年研究生畢業于該系固體物(wù)理(lǐ)方向，師從黃(huáng)昆。

　　他(tā)還(hái)記得(de)黃(huáng)昆剛推門進來(lái)時(shí)，他(tā)是有些失望的(de)，覺得(de)這(zhè)樣一門重要的(de)課，“怎麽這(zhè)麽年輕的(de)老師來(lái)教我們普通(tōng)物(wù)理(lǐ)？”但一節課下(xià)來(lái)，他(tā)們整個(gè)年級接近100個(gè)人(rén)，幾乎都覺得(de)黃(huáng)昆講課太深入了(le)。

　　從1985年起，秦國剛任北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系教授，數十年來(lái)緻力于半導體研究，在半導體雜(zá)質與缺陷等領域的(de)研究中，做(zuò)出系統和(hé)創造性成果。如今，秦國剛已經年逾古稀，但他(tā)繼承者黃(huáng)昆等學術先輩的(de)精神，依然兢兢業業地工作在科研第一線和(hé)培養科技人(rén)才的(de)事業中。

▲莫黨

　　中山大(dà)學教授莫黨也(yě)是北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系1956屆畢業生。莫黨是1952年廣東省高(gāo)考狀元，畢業留校從事教研工作，于1976年調回廣州，3年後調入中山大(dà)學物(wù)理(lǐ)系工作。

　　在他(tā)求學期間，黃(huáng)昆給了(le)他(tā)很大(dà)的(de)啓發和(hé)影(yǐng)響，他(tā)是黃(huáng)昆、謝希德教授所著《半導體物(wù)理(lǐ)學》一書(shū)的(de)書(shū)稿整理(lǐ)人(rén)，他(tā)所編撰的(de)我國第一本半導體材料教材《半導體材料》還(hái)是由黃(huáng)昆先生審閱的(de)。

　　自大(dà)學畢業後，莫黨在半導體材料和(hé)半導體物(wù)理(lǐ)、橢偏光(guāng)譜、固體光(guāng)學性質、光(guāng)折變晶體等領域進行了(le)大(dà)量深入的(de)研究工作，曾與學生在世界上首創開展半導體離子諸如的(de)橢偏光(guāng)譜研究和(hé)創立分(fēn)數微分(fēn)譜方法，爲發展和(hé)推廣我國橢偏術做(zuò)出了(le)重要貢獻。他(tā)還(hái)被選入美(měi)國出版的(de)《世界名人(rén)錄》，被美(měi)國紐約科學院任命爲該院成員(yuán)。

▲甘子钊

　　甘子钊1954年從湛江考進北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系，第一學期被稱“怪才”，第二學期被稱“天才”，第三學期被稱“奇才”，本科畢業後被教授們争著(zhe)收爲研究生，結果成了(le)黃(huáng)昆的(de)大(dà)弟(dì)子。

　　在甘子钊的(de)記憶中，黃(huáng)昆上課的(de)時(shí)間和(hé)備課的(de)時(shí)間是1與10之比，也(yě)就是說他(tā)要花10個(gè)小時(shí)準備講一個(gè)小時(shí)的(de)課。

　　畢業後，甘子钊留校工作，曆任北(běi)京大(dà)學副教授、教授、固體物(wù)理(lǐ)研究所所長(cháng)、國家超導專家委員(yuán)會第一首席專家等職務，于1991年當選中科院院士。

　　他(tā)在60年代主要從事半導體物(wù)理(lǐ)的(de)研究工作，解決了(le)半導體鍺中隧道過程的(de)物(wù)理(lǐ)機理(lǐ)，80年代初發展了(le)光(guāng)在半導體中相幹傳播理(lǐ)論，并在凝聚态物(wù)理(lǐ)、激光(guāng)物(wù)理(lǐ)的(de)前沿研究工作中做(zuò)出貢獻。

▲夏建白

　　夏建白是上海人(rén)，17歲考取北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系，因爲對(duì)黃(huáng)昆的(de)固體物(wù)理(lǐ)課印象最爲深刻，他(tā)于1962年報考了(le)黃(huáng)昆先生的(de)研究生，主攻固體物(wù)理(lǐ)學研究。

　　三年學成畢業後，夏建白留校物(wù)理(lǐ)系任教，後因内亂時(shí)期，他(tā)參與“三線”建設，一連15年沒能再碰半導體物(wù)理(lǐ)。

　　“工作與所學專業分(fēn)離，時(shí)間一長(cháng)，心中的(de)遺憾與日劇增。”黃(huáng)昆調任中科院半導體所所長(cháng)後，夏建白向導師黃(huáng)昆寫信表達了(le)調動意向。在黃(huáng)昆的(de)幫助下(xià)，經一番周折後，年近40歲的(de)夏建白成功調入中科院。

　　夏建白迫不及待地投身于半導體研究中，短短十年間，獨立研制出中國自主生産的(de)分(fēn)子束外延設備，造出質量優良的(de)超晶格、量子阱材料，在理(lǐ)論研究方面也(yě)取得(de)一系列開創性成果。

▲韓汝琦

　　與前四位不同，在1962年北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系本科畢業後，沒有繼續讀研究生，而是直接留校任教。

　　他(tā)曾任北(běi)大(dà)微電子研究所常務副所長(cháng)、教授、博士生導師，曾撰寫出版《固體物(wù)理(lǐ)學》、《非晶态物(wù)理(lǐ)學》、《非導體物(wù)理(lǐ)基礎》、《晶體管原理(lǐ)與設計》等教材，并先後主持承擔多(duō)項國家重點科技攻關任務和(hé)國防軍工預研項目。

　　遺憾的(de)是，韓汝琦在2011年2月(yuè)16日因病逝世，享年72歲。

　　▲1958年北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系半導體專門化(huà)第一屆五年制畢業生合影(yǐng)（前排左七爲黃(huáng)昆，第二排左七爲陳辰嘉）

　　陳辰嘉原先是在廈大(dà)物(wù)理(lǐ)系學習(xí)了(le)三年，1956年随著(zhe)五校聯合轉至北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系半導體專門化(huà)報道。

　　後來(lái)1961年3月(yuè)，她被調到而北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系半導體教研室，協助黃(huáng)昆做(zuò)好教研室的(de)工作，當時(shí)黃(huáng)永寶是實驗室主任，韓汝琦是教學秘書(shū)，教研室最有經驗的(de)是黃(huáng)昆、黃(huáng)敞和(hé)黃(huáng)永寶先生。在他(tā)們的(de)努力下(xià)，教研室的(de)年輕教師陸續在器件物(wù)理(lǐ)和(hé)材料物(wù)理(lǐ)研究上取得(de)碩果，科研工作走上正确的(de)軌道。

　　除了(le)向黃(huáng)昆討(tǎo)論和(hé)學習(xí)外，在建設固體能譜研究室期間，陳辰嘉也(yě)曾向理(lǐ)論組的(de)甘子钊、秦國剛學習(xí)。

▲許居衍

　　許居衍也(yě)是先在廈大(dà)物(wù)理(lǐ)系學習(xí)了(le)三年，1956年遷至北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系學習(xí)，黃(huáng)昆等老師在學術上将他(tā)帶到了(le)半導體科學的(de)新領域。

　　1957年，許居衍完成學業後，被分(fēn)配到國防部第十研究院第十研究所，他(tā)成爲中國第一塊矽平面單片集成電路的(de)主要研制人(rén)，後來(lái)又于1970年參與了(le)中國第一個(gè)集成電路專業研究所——第二十四研究所的(de)創建。

　　1985年，許居衍參與第二十四研究所無錫分(fēn)所組建，随後與無錫742廠共創的(de)第一個(gè)微電子科研生産聯合企業——無錫微電子聯合公司，這(zhè)家公司即是大(dà)名鼎鼎的(de)中國華晶電子集團公司的(de)前身。許居衍任24所及華晶電子的(de)總工程師。

　　1995年，許居衍被評爲中國工程院院士。

▲俞忠钰

　　俞忠钰和(hé)王陽元都是1958屆的(de)北(běi)大(dà)物(wù)理(lǐ)系畢業生。畢業後，俞忠钰曆任河(hé)北(běi)半導體研究所副所長(cháng)、電子工業部東光(guāng)電工廠總工程師、廠長(cháng)等重要職務。

　　王陽元畢業後則選擇留校任教，他(tā)在學術領域主持研制成功我國第一塊1024位MOS随機存儲器，開拓了(le)我國矽栅N溝道MOS技術，領導建成我國第一個(gè)大(dà)型集成化(huà)ICCAD系統，此後在微電子學新器件、工藝和(hé)結構電路研究中屢有建樹。

▲王陽元

　　1978年，王陽元在北(běi)大(dà)建立微電子學研究室并任室主任，後任北(běi)大(dà)微電子所所長(cháng)，并主持創建了(le)SOI新器件研究室、我國第一個(gè)國家微米/納米加工技術重點實驗室等機構。

　　王陽元的(de)成就不止在于學術界和(hé)教育界，它還(hái)爲中國芯片制造業貢獻了(le)一個(gè)關鍵的(de)裏程碑——中芯國際。

　　04

　　馳騁半導體産業的(de)北(běi)大(dà)人(rén)

　　2004年，69歲的(de)王陽元與嚴曉浪教授、張汝京博士等一起發起，由北(běi)京大(dà)學微電子研究院等與中芯國際合作申請建立了(le)“863”高(gāo)技術課題，進行90nm-65nm大(dà)生産技術研究，直接瞄準當前國際最前沿的(de)大(dà)生産技術。

　　領銜這(zhè)些課題的(de)首席科學家和(hé)課題負責人(rén)，包括張興、黃(huáng)如、康晉鋒教授等，都是王陽元的(de)學生，他(tā)們是新成長(cháng)起來(lái)的(de)年輕的(de)學術帶頭人(rén)。

　　而在四年前，中芯國際由王陽元與張汝京聯合創辦。

　　張汝京被譽爲華人(rén)半導體界第三号人(rén)物(wù)，曾于德州儀器就職期間，在美(měi)國、日本、新加坡、意大(dà)利及中國台灣完成了(le)10座半導體工廠的(de)建設與運營，随後在台灣創辦了(le)世大(dà)，以50億美(měi)元賣給了(le)全球晶圓廠老大(dà)台積電。

▲張汝京

　　中芯國際一成立，就創下(xià)了(le)當時(shí)全球最快(kuài)的(de)芯片廠建廠記錄。2000年8月(yuè)1日，中芯國際在上海的(de)第一個(gè)8英寸廠打下(xià)第一根樁，到正式建成投産，前後曆時(shí)僅13個(gè)月(yuè)。

　　2002年，中芯國際在北(běi)京的(de)兩座12英寸芯片廠動工，2年後建成我國第一條大(dà)型12英寸納米級集成電路大(dà)生産線。中芯國際迅速跻身全球半導體代工行業前三甲。

　　在他(tā)們的(de)共同努力下(xià)，中芯國際結合中國國情發展，陸續引入上海實業、摩托羅拉、張江高(gāo)科、北(běi)大(dà)青鳥、高(gāo)盛、華登國際、新加坡淡馬錫控股等一批投資者，逐步發展成中國大(dà)陸晶圓代工第一大(dà)廠。

▲中微半導體尹志堯

　　曾在北(běi)大(dà)求學的(de)中國半導體産業代表人(rén)物(wù)還(hái)有尹志堯，他(tā)被稱爲中國芯教父級人(rén)物(wù)。

　　他(tā)1944年出生于北(běi)京，1962年考入科大(dà)化(huà)學物(wù)理(lǐ)系，1968年被分(fēn)配至蘭州煉油廠，1980年獲北(běi)大(dà)化(huà)學系碩士學位，赴美(měi)國加州洛杉矶分(fēn)校攻讀物(wù)理(lǐ)化(huà)學博士。

　　他(tā)創辦的(de)中微半導體，是我國極少數能與國際頂尖半導體設備公司在技術上分(fēn)庭抗禮，還(hái)不斷擴大(dà)市占率的(de)公司，據稱其自研的(de)5nm等離子刻蝕機即将挺進台積電5nm制程生産線。

　　今年7月(yuè)，這(zhè)家公司科創闆IPO注冊獲證監會通(tōng)過，智東西曾對(duì)此做(zuò)詳細報道。（11年挑戰美(měi)國巨頭！這(zhè)家國産5nm芯片刻蝕龍頭，三年扭虧将登陸科創闆）

▲比特大(dà)陸吳忌寒

　　全球第一大(dà)虛拟貨币礦機芯片生産商比特大(dà)陸的(de)聯合創始人(rén)之一吳忌寒，是北(běi)大(dà)金融學專業和(hé)心理(lǐ)學專業2009屆的(de)本科畢業生。

　　吳忌寒主要負責區(qū)塊鏈業務，比特大(dà)陸招股書(shū)中這(zhè)樣描述他(tā)：“吳忌寒先生被公認是全球加密貨币和(hé)區(qū)塊鏈技術領域的(de)領軍人(rén)物(wù)……吳忌寒先生憑借對(duì)區(qū)塊鏈行業的(de)深刻理(lǐ)解，一直指引著(zhe)我們的(de)戰略發展。”

　　2017年，比特大(dà)陸宣布進軍AI芯片領域，迄今已推出多(duō)款“算(suàn)豐”系列AI芯片。智東西曾對(duì)比特大(dà)陸招股書(shū)做(zuò)詳細解讀。（比特大(dà)陸确定香港上市！半年狂賺51億，創始成員(yuán)最小26歲）

▲知存科技王紹迪

　　從事AI芯片研發的(de)還(hái)有知存科技，其創始人(rén)兼CEO王紹迪畢業于北(běi)大(dà)微電子系，曾獲楊芙清王陽元院士獎學金，後在美(měi)國加州洛杉矶分(fēn)校電子和(hé)計算(suàn)機工程系獲得(de)碩士和(hé)博士學位。

　　針對(duì)市場(chǎng)上對(duì)低成本、低功耗的(de)AI芯片的(de)需求，王紹迪于2018年在北(běi)京創辦知存科技，緻力于研發基于浮栅技術的(de)數模混合存算(suàn)一體AI芯片，以解決AI運算(suàn)中的(de)存儲牆和(hé)算(suàn)力問題。其自研的(de)嵌入式智能語音(yīn)芯片已完成流片，預計2019年年中量産。

　　還(hái)有兩家瞄準過視覺AI芯片的(de)創企，分(fēn)别是眼擎科技和(hé)知存科技，他(tā)們的(de)創始人(rén)都是北(běi)大(dà)畢業生。

▲眼擎科技朱繼志

　　眼擎科技創始人(rén)兼CEO朱繼志畢業于北(běi)大(dà)電子學系，曾任職于中興視頻(pín)通(tōng)信部，後在國内最大(dà)的(de)芯片分(fēn)銷商任副總裁。2014年，他(tā)創立眼擎科技，專注研發AI視覺成像引擎的(de)原創高(gāo)端數字芯片。（GTIC 2018 | 眼擎科技朱繼志：PK人(rén)眼的(de)無人(rén)車之眼如何煉成）

　　另一家創企深瞐科技是一家計算(suàn)機視覺創企，主攻安防領域的(de)車臉識别和(hé)視頻(pín)結構化(huà)算(suàn)法。其創始人(rén)陳瑞軍是1987級北(běi)京大(dà)學經管系學生，畢業後曾在大(dà)唐電信做(zuò)過銷售。

　　2017年，深瞐科技曾聯合硬件生産廠商，推出基于FPGA神經網絡算(suàn)法硬件加速芯片。智東西對(duì)這(zhè)家創企也(yě)曾做(zuò)過深入報道。（20年安防老兵(bīng)創業，這(zhè)家CV創企要做(zuò)最強“車臉識别”）

▲瀚諾半導體團隊成員(yuán)

　　通(tōng)信基帶芯片方面，有一家脫胎于北(běi)大(dà)的(de)創企瀚諾半導體，成立于2015年10月(yuè)，其創始人(rén)兼CEO張誠、基帶算(suàn)法及技術宣傳負責人(rén)、産品開發及市場(chǎng)推廣負責人(rén)楊春均爲北(běi)大(dà)通(tōng)信與信息系統專業博士。

　　他(tā)們的(de)先期研究工作從2005年開始，團隊成員(yuán)在HINOC項目組中一起合作，合力完成多(duō)項國家重大(dà)項目。資深顧問是北(běi)大(dà)信息科學技術學院教授李紅濱，在信息通(tōng)信學術界有較大(dà)影(yǐng)響和(hé)聲望。

　　瀚諾半導體推出的(de)HN1000系列芯片，據稱是國内第一個(gè)且唯一的(de)一個(gè)自主設計、自主研發的(de)千兆同軸接入芯片，可(kě)充分(fēn)激活現有國内同軸電纜千億存量資源，帶來(lái)安全、可(kě)靠的(de)千兆寬帶接入體驗。

▲芯翼信息科技肖建宏

　　還(hái)有一家專注于研發窄帶物(wù)聯網（NB-IoT）芯片的(de)創企芯翼信息科技，其創始人(rén)肖建宏于2001年獲北(běi)大(dà)微電子專業學士學位，後在美(měi)國Texas A&M University獲得(de)博士學位，曾任Broadcom高(gāo)級首席科學家，寬帶射頻(pín)收發機的(de)研發帶頭人(rén)。

　　肖建宏在2017年3月(yuè)創立芯翼信息科技，從智能表計以及智慧城(chéng)市的(de)幾個(gè)細分(fēn)場(chǎng)景切入NB-IoT芯片，在國内外均與模塊商、方案商有戰略合作。

　　今年6月(yuè)，該公司宣布其XY1100芯片通(tōng)過中國電信NB-IoT芯片入庫認證，即将完成中國移動芯片入庫和(hé)中國聯通(tōng)入庫認證，軟硬件均宣告進入量産狀态。

　　在投資領域，同樣有一批北(běi)大(dà)學子在以提供資金的(de)形式，助力中國半導體産業的(de)發展。

▲盈富泰克劉廷儒

　　比如北(běi)大(dà)計算(suàn)機系85屆碩士劉廷儒，于2001年創辦了(le)盈富泰克創投公司，至今盈富泰克管理(lǐ)資産已超過30億美(měi)元，曾投資中星微、天水(shuǐ)華天、北(běi)京君正、兆易創新等國内知名半導體企業。

▲華青資本胡文斌

　　還(hái)有曾進修北(běi)大(dà)金融學的(de)胡文斌，在2016年創辦了(le)私募基金管理(lǐ)機構華青資本，投資領域以半導體、物(wù)聯網、智能制造等新興産業爲主，主要扶持中小企業的(de)成長(cháng)。目前其中在管半導體産業上下(xià)遊企業包括達新半導體、迪威碼半導體、深圳浚漪科技等。

　　05

　　結語：隐秘而偉大(dà)的(de)半導體先輩

　　北(běi)大(dà)是半導體史上一個(gè)璀璨的(de)長(cháng)夜，集聚了(le)中國第一批從海外學成歸來(lái)的(de)頂尖半導體人(rén)才，開辟了(le)前無古人(rén)的(de)事業。

　　愛(ài)因斯坦在悼念居裏夫人(rén)時(shí)，曾經有過這(zhè)樣一段話(huà)：“第一流人(rén)物(wù)對(duì)于時(shí)代和(hé)曆史進程的(de)意義，在其道德品質方面，也(yě)許比單純的(de)才智成就方面還(hái)要大(dà)。即使是後者，它們取決于品格的(de)程度，也(yě)遠(yuǎn)超過通(tōng)常所認爲的(de)那樣。”

　　第一批扛起中國半導體建設重任的(de)先輩們面前，是“雄關漫道真如鐵”，即便病魔纏身、政治迫害，追求理(lǐ)想的(de)腳步未曾停歇，學術精神的(de)堡壘始終屹立不倒。

　　而今踩在這(zhè)些巨人(rén)的(de)肩膀上，北(běi)大(dà)學子也(yě)好，其他(tā)高(gāo)校輸出的(de)半導體人(rén)才也(yě)好，他(tā)們繼承先輩知識分(fēn)子的(de)風骨，或窮究半導體理(lǐ)論知識的(de)奧秘，或背負所學，奔赴到中國半導體産業發展的(de)浪潮之中，面向的(de)是更加開闊的(de)未來(lái)。

　　但遺憾的(de)是，付出一生熱(rè)忱的(de)先輩們，彪炳于曆史的(de)記憶中，卻不可(kě)避免地被時(shí)代所遺忘。

　　從2000年到2019年，謝希德、高(gāo)鼎三、林(lín)蘭英、黃(huáng)昆、王守武、黃(huáng)敞、洪朝生、湯定元等，一位又一位中國半導體事業的(de)開拓者相繼辭世，科學界一片震動，而許多(duō)聞訊的(de)公衆卻感到茫然。

　　再過2個(gè)月(yuè)，就是黃(huáng)昆先生的(de)百年誕辰，也(yě)許朋友圈會掀起一陣追憶熱(rè)潮，願一切歸于平靜後，半導體先輩們人(rén)格的(de)偉大(dà)與崇高(gāo)，能夠在更多(duō)人(rén)的(de)内心深處留存。

　　參考文獻：朱邦芬《黃(huáng)昆——中國固體物(wù)理(lǐ)和(hé)半導體物(wù)理(lǐ)的(de)奠基人(rén)》；楊振甯《現代物(wù)理(lǐ)和(hé)熱(rè)情的(de)友誼》；西安微電子技術研究所《大(dà)師離去|黃(huáng)敞同志一路走好》；《黃(huáng)昆：學習(xí)知識不是越多(duō)越好，越深越好》；《1947年4月(yuè)黃(huáng)昆給楊振甯的(de)信》《人(rén)文複旦/複旦大(dà)學校長(cháng)（四）謝希德》；李來(lái)風《追憶我的(de)導師洪朝生先生》；《光(guāng)輝永駐——紀念高(gāo)鼎三院士誕辰一百周年：回憶父親高(gāo)鼎三》；劉思江《百歲院士湯定元與世長(cháng)辭，曾爲我國“兩彈一星”作出重要貢獻》；王陽元《生命不息、攀登不止——記我所認識的(de)林(lín)蘭英院士》；中國科學報《追記林(lín)蘭英院士：那盞永恒的(de)明(míng)燈》；中國科學報《王守武：矽芯鑄就輝煌》；中國科協《我國半導體研究的(de)“拓荒者”——王守武院士誕辰100周年》；夏建白 陳辰嘉 何春藩《繼往開來(lái)，任重道遠(yuǎn)——紀念中國半導體事業五十周年》；陳辰嘉《沉痛悼念我最敬愛(ài)的(de)黃(huáng)昆老師》；《二十世紀中國知名科學家學術成就概覽》物(wù)理(lǐ)卷；《大(dà)家》欄目。